በ wafer ቅኝት ወቅት በሙቀት ምክንያት የግራናይት ማሽኑ መሠረት ይስፋፋል?

በቺፕ ማኑፋክቸሪንግ ቁልፍ ማገናኛ - የዋፈር ቅኝት, የመሳሪያዎቹ ትክክለኛነት የቺፑን ጥራት ይወስናል. የመሳሪያው አስፈላጊ አካል እንደመሆኑ, የግራናይት ማሽን መሰረት ያለው የሙቀት መስፋፋት ችግር ብዙ ትኩረትን ስቧል.

የግራናይት የሙቀት መስፋፋት ጥምርታ ብዙውን ጊዜ በ4 እና 8×10⁻⁶/℃ መካከል ያለው ሲሆን ይህም ከብረታ ብረት እና እብነበረድ በጣም ያነሰ ነው። ይህ ማለት የሙቀት መጠኑ ሲቀየር, መጠኑ በአንጻራዊ ሁኔታ ትንሽ ይቀየራል. ይሁን እንጂ ዝቅተኛ የሙቀት መስፋፋት የሙቀት መስፋፋት የለም ማለት እንዳልሆነ ልብ ሊባል ይገባል. በከፍተኛ የሙቀት መጠን መለዋወጥ ውስጥ፣ ትንሽ መስፋፋት እንኳን የዋፈር ቅኝትን ናኖሚክ ትክክለኛነት ሊጎዳ ይችላል።

በቫፈር ቅኝት ሂደት ውስጥ, የሙቀት መስፋፋት መከሰት በርካታ ምክንያቶች አሉ. በአውደ ጥናቱ ውስጥ ያለው የሙቀት መጠን መለዋወጥ፣ በመሳሪያዎች አካላት አሠራር የሚፈጠረው ሙቀት፣ እና በሌዘር ማቀነባበሪያ አማካኝነት የሚፈጠረው ቅጽበታዊ ከፍተኛ የሙቀት መጠን የግራናይት መሰረቱን "በሙቀት ለውጦች ምክንያት እንዲስፋፋ እና እንዲዋሃድ" ያደርገዋል። መሰረቱ የሙቀት መስፋፋት ከጀመረ በኋላ የመመሪያው ሀዲድ ቀጥተኛነት እና የመድረኩ ጠፍጣፋነት ሊዛባ ስለሚችል የዋፈር ጠረጴዛው ትክክለኛ ያልሆነ የእንቅስቃሴ አቅጣጫ ያስከትላል። ደጋፊ ኦፕቲካል ክፍሎቹም ይቀየራሉ፣ ይህም የፍተሻ ጨረሩ "ወደ መዛወር" ያደርገዋል። ለረጅም ጊዜ ያለማቋረጥ መሥራትም ስህተቶችን ያከማቻል, ትክክለኝነት የበለጠ የከፋ እና የከፋ ያደርገዋል.

ግን አይጨነቁ። ሰዎች አስቀድሞ መፍትሔ አላቸው። ከቁሳቁሶች አንፃር ዝቅተኛ የሙቀት መስፋፋት ቅንጅት ያላቸው ግራናይት ደም መላሽ ቧንቧዎች ተመርጠው ለእርጅና ህክምና ይደረግላቸዋል። የሙቀት ቁጥጥርን በተመለከተ የዎርክሾፑ የሙቀት መጠን በትክክል በ 23 ± 0.5 ℃ ወይም ከዚያ ያነሰ ቁጥጥር ይደረግበታል, እና ንቁ የሆነ የሙቀት ማከፋፈያ መሳሪያ እንዲሁ ለመሠረት ይዘጋጃል. ከመዋቅራዊ ንድፍ አንጻር ሲሚሜትሪክ መዋቅሮች እና ተጣጣፊ ድጋፎች ይቀበላሉ, እና የእውነተኛ ጊዜ ክትትል በሙቀት ዳሳሾች በኩል ይካሄዳል. በሙቀት መበላሸት ምክንያት የተከሰቱት ስህተቶች በተለዋዋጭ ስልተ ቀመሮች ተስተካክለዋል።

እንደ ኤኤስኤምኤል ሊቶግራፊ ማሽኖች ያሉ ከፍተኛ ደረጃ ያላቸው መሳሪያዎች በእነዚህ ዘዴዎች የግራናይት መሰረቱን የሙቀት መስፋፋት ተፅእኖ እጅግ በጣም ትንሽ በሆነ ክልል ውስጥ እንዲቆይ በማድረግ የዋፈር ቅኝት ትክክለኛነት ወደ ናኖሜትር ደረጃ እንዲደርስ ያስችለዋል። ስለዚህ, በትክክል ቁጥጥር እስካልተደረገ ድረስ, የ granite መሰረቱ ለቫፈር መቃኛ መሳሪያዎች አስተማማኝ ምርጫ ሆኖ ይቆያል.